在手机通信系统中，射频前端模块作为核心组件决定了终端的通信制式、收发信号强度、通话稳定性等，是能直接影响用户体验的重要环节。随着手机芯片逐渐向多模方向发展，支持频段数量不断增加，射频前端器件的数量也跟着增加，而射频前端器件的设计复杂度更是呈现指数级增长。

在5G时代下，大唐半导体科技有限公司（以下简称“大唐半导体”）结合自身在4G时代的积累，并且凭借其射频模拟团队的出色研发能力，近日，首颗5G射频前端器件成功流片并完成测试，设计效果达到目标。该产品是一款支持频段3.3~3.8GHz的LNA（低噪声放大器），具有面积小、噪声系数小、增益可调、低功耗、低成本的特点，并能支持增益模式、直通模式、关断模式切换。目前该芯片已进入客户送样阶段。

考虑到5G智能手机中天线和射频通路的数量显著增多，对LNA的数量需求会迅速增加，而手机PCB却没有更多的空间，集成度高的射频前端模块将更有优势，因此大唐半导体后续将致力于提供更高集成度的射频前端模块。

大唐半导体目前在青岛、北京、上海和盐城等地设立有研发中心，专注芯片设计、应用产品和解决方案开发与销售等工作。研发团队具备IC全流程设计能力，拥有数字、模拟、射频和数模混合芯片的综合规划与设计能力，有丰富的28nm、40nm和 55nm工艺水平下的大规模SOC设计和量产经验。当前芯片方向聚焦在蓝牙、电子雷管、5G射频前端、第三代功率半导体等领域。期待大唐半导体的5G射频前端器件未来有更好的表现，为射频领域带来新的活力！